| 基于透射光谱确定微晶硅锗薄膜的光学常数 |
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| 引用本文： | 黄振华,张建军,倪牮,李天微,曹宇,王昊,赵颖.基于透射光谱确定微晶硅锗薄膜的光学常数[J].光电子．激光,2014(1):107-112. |
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| 作者姓名： | 黄振华 张建军 倪牮 李天微 曹宇 王昊 赵颖 |
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| 作者单位： | 南开大学 光电子薄膜器件与技术研究所,光电信息技术科学教育部重点实验室,光电子薄 膜器件与技术天津市重点实验室,天津 300071;南开大学 光电子薄膜器件与技术研究所,光电信息技术科学教育部重点实验室,光电子薄 膜器件与技术天津市重点实验室,天津 300071;南开大学 光电子薄膜器件与技术研究所,光电信息技术科学教育部重点实验室,光电子薄 膜器件与技术天津市重点实验室,天津 300071;南开大学 光电子薄膜器件与技术研究所,光电信息技术科学教育部重点实验室,光电子薄 膜器件与技术天津市重点实验室,天津 300071;南开大学 光电子薄膜器件与技术研究所,光电信息技术科学教育部重点实验室,光电子薄 膜器件与技术天津市重点实验室,天津 300071;南开大学 光电子薄膜器件与技术研究所,光电信息技术科学教育部重点实验室,光电子薄 膜器件与技术天津市重点实验室,天津 300071;南开大学 光电子薄膜器件与技术研究所,光电信息技术科学教育部重点实验室,光电子薄 膜器件与技术天津市重点实验室,天津 300071 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(2011CBA00705,2011CBA00706,2011CBA00707)、国家自然科学 基金(61377031)天津市应用基础及前沿技术研究计划(12JCQNJC01000)、中央高校基本科研 业务费专项资金(65012371)和高等学校博士学科点专项科研基金(20120031120044)资助项目 (南开大学 光电子薄膜器件与技术研究所,光电信息技术科学教育部重点实验室,光电子薄 膜器件与技术天津市重点实验室,天津 300071) |
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| 摘 要： | 结合多层结构模型以及柯西色散公式,给出一种 由透射谱提取微晶硅锗(μc-Si1－xGex :H)薄膜光学常数的Matlab方法。 与Swanepeol方法、PUMA(pointwise unconstrained minimization approach)方法相比,Ma tlab法通过透射率极值的位置而 非幅值计算折射率,能够避免幅值大小偏差所造成的影响,得到更准确的光学常数,拟合 精度能提高1个数量级。计算所 得不同Ge含量的光学常数表明,μc-Si1－xGe x:H在整个波长范围内有更高的吸收系数和折射率,并且二者 随Ge含量增加而增加。由 ASA(advanced semiconductor analysis)进一步计算表明,相对于μc-Si:H电池,当 本征吸收层较薄时相同厚度的μc-Si1－xGe x:H 电池从400nm开始即能表现出更高的量子效率(QE)响应,当本征吸收层较厚时相同厚度的 μc-Si1－xGe x:H电池在近红外区域的QE 响应依然优势明显。并且,在获得相同电流密度的情况下, μc-Si1－xGe x:H电池能够明显降低 本征吸收层厚度,因而能够有效降低Si基薄膜太阳电池的制造成本。
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| 关 键 词： | 微晶硅锗(μc-Si1－xGe x:H) 光学常数 Swanepeol法 ASA |
| 收稿时间： | 2013/5/31 0:00:00 |
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