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| Zn_（0．65）Cd_（0．35）Se－ZnSe量子阱自电光效应器件的制备和 | |
| 引用本文： | 郑著宏,张吉英,杨宝均,范希武.Zn_（0．65）Cd_（0．35）Se－ZnSe量子阱自电光效应器件的制备和[J].光电子．激光,1996(4). |
| 作者姓名： | 郑著宏 张吉英 杨宝均 范希武 |
| 作者单位： | 中国科学院长春物理研究所 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金，中国科学院长春物理研究所激发态物理开放实验室资助 |
| 摘 要： | 利用ＭＯＣＶＤ技术和光电子器件工艺成功地制备了Ｐ－ｉ－ｎ结构的Ｐ－ＺｎＳｅ－（Ｚｎ０．６５Ｃｄ０．３５Ｓｅ－ＺｎＳｅＭＱＷ）－ｎ－ＺｎＳｅ自电光效应器件（ＳＥＥＤ）。在这种自由光效应器件中，在反向偏置电压下实现了由量子限制斯塔克效应（ＱｕａｎｔｕｍＣｏｎｆｉｎｅｄＳｔａｒｋＥｆｆｅｃｔ）引起的电光调制。 |
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