具有半绝缘隐埋型异质结构的高速和低驱动电压的InGaAs／InGaAsP MQW电吸收调

本文介绍使用平面内带隙能量控制技术和低电容半绝缘BH工艺制造的MQW电吸收调制器集成的DFB激光器。该器件的阈值电流低达5．4mA，而调制效率则高达13dB/2V，只用1V的调制电压（峰间值）所进行的10Gbit/s调制，说明此器件具有用于1．55μm的电吸收调制的潜在价值。