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1V高线性度2.4GHz CMOS低噪声放大器
引用本文:徐跃,杨英强.1V高线性度2.4GHz CMOS低噪声放大器[J].电路与系统学报,2009,14(4).
作者姓名:徐跃  杨英强
作者单位:南京邮电大学,光电工程学院,江苏,南京210003
基金项目:江苏省教育厅自然科学基金资助项目,南京邮电大学科学基金资助项目 
摘    要:讨论了低噪声放大器(LNA)在低电压、低功耗条件下的噪声优化及线性度提高技术.使用Chartered 0.25μm RF CMOS 工艺设计一个低电压折叠式共源共栅LNA.后仿真结果表明在1V电源下,2.36GHz处的噪声系数NF仅有1.32dB,正向增益S21为14.27dB,反射参数S11、S12、S22分别为 -20.65dB、-30.27dB、-24dB,1dB压缩点为-13.0dBm,三阶交调点IIP3为-0.06dBm,消耗的电流为8.19mA.

关 键 词:低噪声放大器  噪声系数  低电压  折叠式共源共栅  线性度提高

A 1-V highly linear 2.4GHz CMOS low-noise amplifier
XU Yue,YANG Ying-qiang.A 1-V highly linear 2.4GHz CMOS low-noise amplifier[J].Journal of Circuits and Systems,2009,14(4).
Authors:XU Yue  YANG Ying-qiang
Affiliation:XU Yue,YANG Ying-qiang(College of Optoelectric Engineering,Nanjing University of Posts , Telecomunications,Nanjing 210003,China)
Abstract:
Keywords:low-noise amplifier(LNA)  noise figure  low voltage  folded-cascode  linearity improvment  
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
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