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B+、As+离子注入工艺模拟模型的比较
作者姓名:庞海舟  阮刚  杨文清  郑国祥  曹永明
作者单位:1. 上海先进半导体制造有限公司,上海,200233
2. 复旦大学,电子工程系,上海,200433
3. 复旦大学,材料科学系,上海,200433
摘    要:对离子注入分布杂质浓度模拟的不同模型进行了简短的回顾,介绍了在SupremⅣ中采用的双Pearson分布模型。通过对B^+及As^+在不同剂量和能量下对硅中的注入,采用SIMS进行浓度分布测试,对双Pearson模型作了评估。

关 键 词:半导体器件 离子注入工艺 B^+ As^+
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