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| CMOS射频集成电路中器件模型的研究 | |
| 引用本文： | 施超,庄奕琪.CMOS射频集成电路中器件模型的研究[J].微电子学,2002,32(6):405-408. |
| 作者姓名： | 施超 庄奕琪 |
| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子所,陕西,西安,710071 |
| 摘 要： | 采用硅材料CMOS工艺制造的射频集成电路具有低功耗、低成本和容易集成的优点.文章讨论了CMOS射频集成电路设计和制造中起关键作用的MOSFET高频模型和螺旋电感模型.为了验证模型,介绍了射频集成电路中的核心模块-低噪声放大器(LNA)-的设计实例.测试结果表明,该模型具有高效、实用的特点. |
| 关 键 词： | CMOS 射频集成电路 高频模型 螺旋电感 低噪声放大器 |
| 文章编号： | 1004-3365(2002)06-0405-04 |
| 修稿时间： | 2001年12月24 |
Research of Device Modeling in CMOS Radio-Frequency Integrated Circuits |
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| Abstract: | |
| Keywords: | CMOS Radio-frequency IC High-frequency model Spiral inductor Low noise amplifier(LNA) |
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