| 晶格匹配InAlN/GaN HEMT沟道温度评估方法研究 |
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| 引用本文： | 金宁,陈雷雷,曹艳荣,梁海莲,闫大为,顾晓峰.晶格匹配InAlN/GaN HEMT沟道温度评估方法研究[J].微电子学,2020,50(6):903-909. |
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| 作者姓名： | 金宁 陈雷雷 曹艳荣 梁海莲 闫大为 顾晓峰 |
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| 作者单位： | 江南大学 电子工程系 物联网技术应用教育部工程研究中心, 江苏 无锡 214122 ;西安电子科技大学 宽带隙半导体技术国家重点学科实验室, 西安 710071 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(61504050) |
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| 摘 要： | 首先分别利用直流电学法、脉冲电学法和微区拉曼光谱法测量了晶格匹配InAlN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的沟道温度,然后评估了各类评估方法的准确性。结果表明:直流电学法获得的温度值远低于拉曼光谱法,严重低估了HEMT工作时的沟道温度；脉冲电学法获得的温度值有所提升,但受限于水平空间分辨率,平均了源极-漏极之间的温度；微区拉曼光谱法能够准确获得沟道最高温度,但测量过程复杂,不适合评估封装器件。最后,提出了一种基于微光显微镜(EMMI)技术的微光电学法,获得了沟道温度的三角分布关系,得到了与拉曼光谱法一致的实验结果。该评估方法适合于实际生产。
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| 关 键 词： | GaN基 HEMT 沟道温度 拉曼光谱 微光显微镜 |
| 收稿时间： | 2019/12/10 0:00:00 |
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