机械应力对双极晶体管β的影响研究 |
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引用本文: | 刘勇,刘建,张培健,王飞,肖添.机械应力对双极晶体管β的影响研究[J].微电子学,2021,51(3):399-403. |
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作者姓名: | 刘勇 刘建 张培健 王飞 肖添 |
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作者单位: | 重庆中科渝芯电子有限公司,重庆 400000;中国电子科技集团公司 第二十四研究所, 重庆 400060;中国电子科技集团公司 第二十四研究所, 重庆 400060;模拟集成电路国家重点实验室, 重庆 400060 |
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摘 要: | 在芯片制造工艺过程中,机械应力对纵向NPN管共射电流增益β有很大影响。通过对上方第二层铝开槽可使β值回升。在第一层铝与第二层铝间的IMD层中加入压应力Si3N4膜,尺寸最大的NPN管的β恢复正常,而其他尺寸的NPN、PNP管的β均有不同程度上升。应用能带理论分析了应力对双极晶体管β的影响机制。结果表明,体硅(100)晶面内的应力对纵向NPN和纵向PNP管的β均有很大影响,并通过实验得到了验证。
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关 键 词: | 双极晶体管 电流放大系数 应力 应变 能带 |
收稿时间: | 2021/1/11 0:00:00 |
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