| GaN高压LED在极小电流与极低温度下的光电特性 |
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| 引用本文： | 田媛,陈雷雷,赵琳娜,陈珍海,闫大为,顾晓峰.GaN高压LED在极小电流与极低温度下的光电特性[J].微电子学,2020,50(5):709-714. |
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| 作者姓名： | 田媛 陈雷雷 赵琳娜 陈珍海 闫大为 顾晓峰 |
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| 作者单位： | 江南大学 电子工程系 物联网技术应用教育部工程研究中心, 江苏 无锡 214122;黄山学院 信息工程学院 智能微系统安徽省工程技术研究中心, 安徽 黄山 245041 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(61504050)；江苏省研究生科研与实践创新计划资助项目(SJCX19_0796,KYCX18_1855)；安徽省重点研究和开发计划资助项目(201904b11020007) |
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| 摘 要： | 在图形化蓝宝石衬底上制备了串联结构的氮化镓(GaN)高压发光二极管(LED),分别在极小电流与极低温度下研究了其光电特性。结果表明,在极小电流区(I<1×10-8 A),主要输运机制为缺陷辅助隧穿。由于能带热收缩效应和辐射复合中心的热激活效应,随着温度升高,电致发光(EL)峰发生红移,半高宽(FWHM)增加；光输出强度与注入电流呈幂指数关系,表明极小电流下非辐射复合占主导,且载流子通过缺陷辅助隧穿至量子阱。在极低温度下(T~40 K)仍能观测到电致发光现象,表明载流子并未被完全冻析,在强场下可由施主态或受主态通过缺陷辅助隧穿至量子阱；随着注入电流增加,注入电荷的库伦电场对极化电场的屏蔽作用增强,导致发光峰发生明显的蓝移,能带填充效应则导致半高宽增加。
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| 关 键 词： | GaN高压发光二极管 极小电流 极低温度 光电特性 |
| 收稿时间： | 2019/11/15 0:00:00 |
Study on Photoelectric Characteristics of GaN High Voltage LEDs at Extremely Low Currents and Temperatures |
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| TIAN Yuan,CHEN Leilei,ZHAO Linn,CHEN Zhenhai,YAN Dawei,GU Xiaofeng.Study on Photoelectric Characteristics of GaN High Voltage LEDs at Extremely Low Currents and Temperatures[J].Microelectronics,2020,50(5):709-714. |
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| Authors: | TIAN Yuan CHEN Leilei ZHAO Linn CHEN Zhenhai YAN Dawei GU Xiaofeng |
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| Affiliation: | Engineering Research Center of IoT Technology Applications Ministry of Education, Department of Electronic Engineering, Jiangnan University, Wuxi, Jiangsu 214122, P.R.China;Engineering Technology Research Center of Intelligent Microsystems, School of Information Engineering, Huangshan University, Huangshan, Anhui 245041, P.R.China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaN high voltage light emitting diodes extremely low current extremely low temperature photoelectric characteristics |
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