高α抗扰性256K位DRAM |
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引用本文: | Akira Endo
,Satoru Ito
,蔡菊荣.高α抗扰性256K位DRAM[J].微电子学,1985(Z1). |
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作者姓名: | Akira Endo Satoru Ito 蔡菊荣 |
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摘 要: | 262,144字×1位动态随机存取存贮器构成的系列,应用日立公司最新的2μm工艺制作。有2种型号的256K位DRAM。一种是常规的高速页面型DRAM。另一种具有一种新功能,即半字节型DRAM。半字节型DRAM可进行高速4位串行读/写操作。应用高存贮单元容量,金属折迭位线结构以及全Vcc存贮电路,可得到高α抗扰性。用冗余技术提高成品率。
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