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一种快速瞬态响应无片外电容LDO
引用本文:王超,姚若河,邝国华.一种快速瞬态响应无片外电容LDO[J].微电子学,2018,48(5):625-629.
作者姓名:王超  姚若河  邝国华
作者单位:华南理工大学 电子与信息学院, 广州 510641,华南理工大学 电子与信息学院, 广州 510641,广东合微集成电路技术有限公司, 广东 东莞 523808
基金项目:国家自然科学基金资助项目(61274085);广东省科技计划项目(2015B090909001)
摘    要:针对无片外电容LDO,在误差放大器与功率管之间添加缓冲器,采用频率补偿的方法,提高了环路稳定性。通过检测负载瞬态变化引起的误差放大器输出电压变化,增加对功率管栅极电容的充放电电流,提升了系统的快速瞬态响应能力。基于TSMC 0.18 μm标准CMOS工艺,设计了一种输入电压范围为1.92~3.60 V、输出电压为1.8 V的LDO。结果表明,负载在1 μs内从0变化到100 mA时,输出最大下冲电压为37.2 mV,响应时间为1.12 μs;负载在1 μs内从100 mA变化到0时,输出最大过冲电压为40.1 mV,响应时间为1.1 μs。

关 键 词:无片外电容    线性稳压器    瞬态增强    快速瞬态响应
收稿时间:2017/11/15 0:00:00

A Fast Transient Response Capacitor-Less Low Dropout Regulator
WANG Chao,YAO Ruohe and KUANG Guohua.A Fast Transient Response Capacitor-Less Low Dropout Regulator[J].Microelectronics,2018,48(5):625-629.
Authors:WANG Chao  YAO Ruohe and KUANG Guohua
Affiliation:School of Elec.and Inform.Engineering, South China Univ.of Technology, Guangzhou 510641, P.R.China,School of Elec.and Inform.Engineering, South China Univ.of Technology, Guangzhou 510641, P.R.China and Guangdong Hiway Integrated Circuit Technology Co., Ltd., Dongguan, Guangdong 523808, P.R.China
Abstract:
Keywords:capacitor-less  low dropout regulator  transient enhancement  fast transient response
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