| 一种新颖的BiCMOS高精度LDO线性稳压电路 |
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| 引用本文： | 陈晓飞,邹雪城,刘三清,张宾. 一种新颖的BiCMOS高精度LDO线性稳压电路[J]. 微电子学, 2006, 36(1): 80-83 |
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| 作者姓名： | 陈晓飞 邹雪城 刘三清 张宾 |
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| 作者单位： | 华中科技大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074 |
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| 摘 要： | 设计了一种改进结构的用于锂离子和锂聚合物电池充电管理芯片的高精度、宽电源电压范围LDO线性稳压电路,电路采用0.8μm N阱BiCMOS高压工艺制作。Hspice仿真结果表明,在温度从-20℃到100℃变化时,其温度系数约为±28 ppm/℃;电源电压从4.5 V到25 V变化时,最坏情况下其线性调整率为0.038 mV/V;负载电流从0到满载2 mA变化时,其负载调整率仅为1.28 mV/mA。
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| 关 键 词： | LDO 稳压电路 BiCMOS 高压工艺 温度系数 线性调整率 负载调整率 |
| 文章编号： | 1004-3365（2006）01-0080-04 |
| 收稿时间： | 2005-04-19 |
| 修稿时间： | 2005-04-192005-06-13 |
A Novel BiCMOS Low-Dropout Linear Regulator with High Accuracy |
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| CHEN Xiao-fei,ZOU Xue-cheng,LIU San-qing,ZHANG Bin. A Novel BiCMOS Low-Dropout Linear Regulator with High Accuracy[J]. Microelectronics, 2006, 36(1): 80-83 |
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| Authors: | CHEN Xiao-fei ZOU Xue-cheng LIU San-qing ZHANG Bin |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | LDO Voltage regulator BiCMOS High voltage technology Temperature coefficient Line regulation Load regulation |
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