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| 改善边缘形貌辐射加固MOS器件氧化物完整性的双温氧化工艺 | |
| 引用本文： | George A.Swartz,宋湘云.改善边缘形貌辐射加固MOS器件氧化物完整性的双温氧化工艺[J].微电子学,1987(3). |
| 作者姓名： | George A.Swartz 宋湘云 |
| 作者单位： | RCA实验室 |
| 摘 要： | 研究表明,在水蒸汽中先在高温(1100℃)后在低温(900℃)热生长的SiO_2,和全部在900℃生长的SiO_2一样,同样减小了对辐照的敏感性。另外,在氧化物覆盖台面结构的MOS电容上,测量氧化物击穿电压和Fowler—Nordheim电流表明,高/低温工艺生长的氧化物具有优良的完整性,比全部在低温生长的氧化物好。这个结果适用于要求低辐照敏感性的任何MOS器件中的有棱结构。 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |