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一种抗辐射加固检错纠错电路的设计
引用本文:徐睿,顾展弘,罗静.一种抗辐射加固检错纠错电路的设计[J].微电子学,2010,40(4).
作者姓名:徐睿  顾展弘  罗静
作者单位:中国电子科技集团公司,第五十八研究所,江苏,无锡,214035
摘    要:分析了电子元器件在空间辐射影响下的一些性能变化,设计了一种应用于星载计算机数据管理系统的抗辐射加固检错纠错电路.重点介绍了逻辑设计、版图设计和抗辐射加固设计.电路采用商用标准CMOS工艺加工,使用版图级、单元级和电路级等多层次的0.5 μm综合体硅加固技术,提高了抗辐射能力.试验结果表明,电路的抗辐射总剂量最高可达3.6 kGy(Si).

关 键 词:检错纠错电路  抗辐射加固  总剂量辐射

Design of Radiation Hardened Error Detection and Correction Circuit
XU Rui,GU Zhanhong,LUO Jing.Design of Radiation Hardened Error Detection and Correction Circuit[J].Microelectronics,2010,40(4).
Authors:XU Rui  GU Zhanhong  LUO Jing
Abstract:
Keywords:
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