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UHF RFID阅读器中线性化调谐增益压控振荡器设计
引用本文:谢磊,刘宝宝,谢淼,袁圣越,石春琦,张润曦.UHF RFID阅读器中线性化调谐增益压控振荡器设计[J].微电子学,2013,43(1):41-46.
作者姓名:谢磊  刘宝宝  谢淼  袁圣越  石春琦  张润曦
作者单位:华东师范大学微电子电路与系统研究所,上海,200062
基金项目:超高频RFID读写器芯片研发及产业化合作项目(48302011);华东师范大学科研创新基金资助项目(78210082);复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室开放课题(10KF013)
摘    要:基于标准0.18μm RF-CMOS工艺,实现了一个可应用于UHF RFID阅读器的低相位噪声、线性化调谐增益(Kvco)、恒定子带间距的压控振荡器.该振荡器包括开关变容管阵列和开关电容阵列,实现了调谐增益线性化及子带间距恒定化.仿真结果表明,当压控振荡器在1.52GHz至2.16 GHz(35.5%)的频率范围变化时,调谐增益从40 MHz/V变化到51 MHz/V(21.5%),子带间距变化为34 MHz到51 MHz,相位噪声在1.8 GHz时为-133.8 dBc/Hz@1MHz.在低压差线性稳压器(LDO)输出电压为2.5V的条件下,整个电路消耗电流约5.2mA.

关 键 词:压控振荡器  调谐增益  低相位噪声  开关变容管阵列  开关电容阵列

Design of Voltage Controlled Oscillator with Linearized Tuning-Gain for UHF RFID Transceiver IC
XIE Lei,LIU Baobao,XIE Miao,YUAN Shengyue,SHI Chunqi,ZHANG Runxi.Design of Voltage Controlled Oscillator with Linearized Tuning-Gain for UHF RFID Transceiver IC[J].Microelectronics,2013,43(1):41-46.
Authors:XIE Lei  LIU Baobao  XIE Miao  YUAN Shengyue  SHI Chunqi  ZHANG Runxi
Affiliation:(Institute of Microelectrionic Circuit and System,East China Normal University,Shanghai 200062,P.R.China)
Abstract:
Keywords:
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