| 一种高性能二阶荷控忆阻器电路设计与验证 |
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| 引用本文： | 肖力,金湘亮,杨健,黄诗诗.一种高性能二阶荷控忆阻器电路设计与验证[J].微电子学,2022,52(4):689-694. |
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| 作者姓名： | 肖力 金湘亮 杨健 黄诗诗 |
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| 作者单位： | 湖南师范大学 物理与电子科学学院, 长沙 410081 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(62174052,61827812)；湖湘高层次人才聚集工程(2019RS1037)；湖南省科技厅项目(2020GK2018,2019GK4016,2020RC1003) |
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| 摘 要： | 当前忆阻器等效电路中的传统运算放大器存在功耗高、噪声大等问题。针对这些问题,基于简化差分对设计了两种极简化的运算放大器。通过电路仿真对两种简化运算放大器与传统运算放大器进行功耗与噪声仿真分析。结果表明,与三种传统运算放大器相比,该简化运算放大器的功耗最低,抗噪声性能最优。运算放大器的总功耗为15 mW,等效输出噪声电压为11.55 nV·Hz-1/2,噪声系数为35.873 dB。基于两种简化运算放大器,设计了一种二阶荷控忆阻器等效电路。通过理论分析、电路仿真和硬件电路板基实验,对该等效电路的忆阻特性进行了分析与验证。
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| 关 键 词： | 低功耗 低噪声 简化运算放大器 忆阻器 |
| 收稿时间： | 2021/10/25 0:00:00 |
Design and Verification of a High Performance Second-Order Charge-Controlled Memristor Circuit |
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| XIAO Li,JIN Xiangliang,YANG Jian,HUANG Shishi.Design and Verification of a High Performance Second-Order Charge-Controlled Memristor Circuit[J].Microelectronics,2022,52(4):689-694. |
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| Authors: | XIAO Li JIN Xiangliang YANG Jian HUANG Shishi |
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| Affiliation: | School of Physics and Electronic Science, Hunan Normal University, Changsha 410081, P. R. China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | low power consumption low noise simplified op amp memristor |
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