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一种具有大电流驱动能力的低温漂带隙基准电压源
引用本文:尹洪剑,万辉,高炜祺.一种具有大电流驱动能力的低温漂带隙基准电压源[J].微电子学,2017,47(4):461-464.
作者姓名:尹洪剑  万辉  高炜祺
作者单位:重庆电子工程职业学院 应用电子学院, 重庆 401331,中国电子科技集团公司 第二十四研究所, 重庆 400060,中国电子科技集团公司 第二十四研究所, 重庆 400060
摘    要:基于XFAB 0.6 μm CMOS工艺,设计了一种具有大电流驱动能力的低温度系数带隙基准电压源。通过设置不同温度系数的电阻的比值,实现带隙基准的2阶曲率补偿。采用新的电路结构,使基准源具有驱动10 mA以上负载电流的能力。经过Hspice仿真验证,常温基准输出电压为2.496 V,-55 ℃~125 ℃温度范围内的温度系数是3.1×10-6/℃;低频时,电源电压抑制比为-77.6 dB;供电电压在4~6 V范围内,基准输出电压的线性调整率为0.005%/V;负载电流在0~10 mA范围内,基准输出电压波动为219 μV,电流源负载调整率为0.022 mV/mA。

关 键 词:带隙基准    曲率补偿    电流驱动
收稿时间:2017/3/19 0:00:00

A Low Temperature Coefficient Bandgap Voltage Reference with Strong Current Driving Capability
YIN Hongjian,WAN Hui and GAO Weiqi.A Low Temperature Coefficient Bandgap Voltage Reference with Strong Current Driving Capability[J].Microelectronics,2017,47(4):461-464.
Authors:YIN Hongjian  WAN Hui and GAO Weiqi
Affiliation:College of Applied Electronics, Chongqing College of Electronic Engineering, Chongqing 401331, P.R.China,Sichuan Institute of Solid-State Circuits, China Electronics Technology Group Corp., Chongqing 400060, P.R.China and Sichuan Institute of Solid-State Circuits, China Electronics Technology Group Corp., Chongqing 400060, P.R.China
Abstract:
Keywords:Bandgap reference  Curvature compensation  Current driving
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