| 用于TSV硅衬底的碱性抛光液研究 |
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| 引用本文： | 刘俊杰,李海清,马欣,刘玉岭,牛新环,王如.用于TSV硅衬底的碱性抛光液研究[J].微电子学,2017,47(3):424-428. |
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| 作者姓名： | 刘俊杰 李海清 马欣 刘玉岭 牛新环 王如 |
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| 作者单位： | 河北工业大学 电子信息工程学院,天津 300130; 天津市电子材料与器件重点实验室, 天津 300130,河北工业大学 电子信息工程学院,天津 300130; 天津市电子材料与器件重点实验室, 天津 300130,河北工业大学 电子信息工程学院,天津 300130; 天津市电子材料与器件重点实验室, 天津 300130,河北工业大学 电子信息工程学院,天津 300130; 天津市电子材料与器件重点实验室, 天津 300130,河北工业大学 电子信息工程学院,天津 300130; 天津市电子材料与器件重点实验室, 天津 300130,河北工业大学 电子信息工程学院,天津 300130; 天津市电子材料与器件重点实验室, 天津 300130 |
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| 基金项目： | 国家02重大专项资助项目(2016ZX02301003-004-007)；河北省自然科学基金资助项目(E2013202247,F2015202267);天津市自然科学基金资助项目(16JCYBJC16100) |
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| 摘 要： | 在穿透硅通孔(TSV)工艺中,研究了碱性抛光液组分的组合方式和抛光液的稀释倍数对硅衬底去除速率的影响。分析了硅衬底的去除机理；研究了抛光液对Si/Cu去除速率的选择性；研究了抛光液的存储时间不同时pH值和硅衬底去除速率的变化。该抛光液通过在硅溶胶中依次加入表面活性剂、无机碱、有机胺碱,再用去离子水稀释15倍配制而成,并应用于TSV图形片。实验结果表明:该抛光液对硅衬底的去除速率较高,达到1.045 μm/min；采用该抛光液对TSV图形片抛光120 s后,铜柱露出2 μm；抛光液储存时间30天后,硅衬底去除速率仅损失1.3%。该碱性抛光液满足半导体制造行业要求。
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| 关 键 词： | 穿透硅通孔 化学机械抛光 抛光液 |
| 收稿时间： | 2016/7/6 0:00:00 |
Study on Alkaline Slurry Applied in Silicon Substrate of TSV Process |
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| LIU Junjie,LI Haiqing,MA Xin,LIU Yuling,NIU Xinhuan and WANG Ru.Study on Alkaline Slurry Applied in Silicon Substrate of TSV Process[J].Microelectronics,2017,47(3):424-428. |
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| Authors: | LIU Junjie LI Haiqing MA Xin LIU Yuling NIU Xinhuan and WANG Ru |
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| Affiliation: | School of Elec. Inform. Engineer., Hebei Univ. of Technol., Tianjin 300130, P .R .China; Tianjin Key Lab. of Elec. Mater & Dev., Tianjin 300130, P. R. China,School of Elec. Inform. Engineer., Hebei Univ. of Technol., Tianjin 300130, P .R .China; Tianjin Key Lab. of Elec. Mater & Dev., Tianjin 300130, P. R. China,School of Elec. Inform. Engineer., Hebei Univ. of Technol., Tianjin 300130, P .R .China; Tianjin Key Lab. of Elec. Mater & Dev., Tianjin 300130, P. R. China,School of Elec. Inform. Engineer., Hebei Univ. of Technol., Tianjin 300130, P .R .China; Tianjin Key Lab. of Elec. Mater & Dev., Tianjin 300130, P. R. China,School of Elec. Inform. Engineer., Hebei Univ. of Technol., Tianjin 300130, P .R .China; Tianjin Key Lab. of Elec. Mater & Dev., Tianjin 300130, P. R. China and School of Elec. Inform. Engineer., Hebei Univ. of Technol., Tianjin 300130, P .R .China; Tianjin Key Lab. of Elec. Mater & Dev., Tianjin 300130, P. R. China |
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