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InP/InGaAs异质结载流子输运特性的仿真
引用本文:许俊瑞,吕红亮,张义门,张玉明,张金灿,宁旭斌.InP/InGaAs异质结载流子输运特性的仿真[J].微电子学,2012,42(5):733-736.
作者姓名:许俊瑞  吕红亮  张义门  张玉明  张金灿  宁旭斌
作者单位:西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体技术国防重点学科实验室,西安710071
基金项目:国家重点基础研究发展计划基金资助项目
摘    要:主要对InP/InGaAs异质结进行数值仿真。考虑到异质结界面存在导带不连续和价带不连续,在流体动力学模型的基础上,采用热电子发射模型和隧穿模型,对异质结的直流特性进行仿真。结果表明,热电子发射效应和隧穿效应对异质结界面载流子的输运有很大影响。仿真结果与实验结果基本一致。

关 键 词:流体动力学  热电子发射  隧穿  异质结

Simulation of Carrier Transport Over InP/InGaAs Heterojunction
XU Junrui , L Hongliang , ZHANG Yimen , ZHANG Yuming , ZHANG Jincan , NING Xubin.Simulation of Carrier Transport Over InP/InGaAs Heterojunction[J].Microelectronics,2012,42(5):733-736.
Authors:XU Junrui  L Hongliang  ZHANG Yimen  ZHANG Yuming  ZHANG Jincan  NING Xubin
Affiliation:XU Junrui , L(U) Hongliang , ZHANG Yimen , ZHANG Yuming , ZHANG Jincan , NING Xubin
Abstract:
Keywords:
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