| 后摩尔时代新兴计算芯片进展 |
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| 引用本文： | 武俊齐,赖凡.后摩尔时代新兴计算芯片进展[J].微电子学,2020,50(3):384-388. |
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| 作者姓名： | 武俊齐 赖凡 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团公司 第二十四研究所, 重庆 400060 |
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| 基金项目： | 模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目(614280205030517) |
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| 摘 要： | 信息处理系统由于基础半导体技术遭遇"摩尔定律接近终结"和现行计算架构(冯·诺依曼架构)缺陷所导致的瓶颈,其发展受到严重挑战。为克服这些制约因素,一方面,集成电路开始沿着由技术内生动力和应用拉动的趋势,即"超越摩尔定律"和"超越CMOS"的方向,逐步发展,包括对单片3D系统和碳纳米管场效应晶体管芯片等新兴计算芯片技术的研究;另一方面,计算范式变革推动了以"神经形态计算"类脑芯片等构建的非冯·诺依曼架构的芯片迅速发展。本文从以上两个方面研究了后摩尔时代新计算芯片技术发展的脉络,分析了数字计算芯片、模拟计算芯片、神经形态计算芯片等新兴计算芯片技术的新进展。
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| 关 键 词： | 摩尔定律 超越摩尔定律 超越CMOS 计算芯片 3D SoC 碳纳米管场效应晶体管 冯·诺依曼架构 神经形态计算 量子计算 边缘计算 |
| 收稿时间： | 2019/9/21 0:00:00 |
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