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CMOS集成电路的电热耦合效应及其模拟研究
引用本文:刘淼,周润德,贾松良.CMOS集成电路的电热耦合效应及其模拟研究[J].微电子学,2001,31(1):10-12.
作者姓名:刘淼  周润德  贾松良
作者单位:清华大学 微电子学研究所,
基金项目:国家自然科学基金重大项目 !(5 9995 5 5 0 - 0 1)
摘    要:文章基于集成电路具体的封装结构提出了它的热学分析模型。针对均匀温度分布的集成电路,采用解耦法实现了电热耦合模拟软件Etsim,并研究分析了温度对集成电路性能和功耗的影响。

关 键 词:CMOS集成电路  自热效应  电热耦合效应
文章编号:1004-3365(2001) 01-0010-03
修稿时间:2000年4月10日

A Simulation and Study of Electro-Thermal Coupling Effects in CMOS IC's
LIU Miao,ZHOU Run-de,JIA Song-liang.A Simulation and Study of Electro-Thermal Coupling Effects in CMOS IC's[J].Microelectronics,2001,31(1):10-12.
Authors:LIU Miao  ZHOU Run-de  JIA Song-liang
Abstract:A thermal analysis model for a packaged IC chip is proposed andthe temper ature-dependent circuit performance is analyzed. Based on relaxation method, an electro-thermal simulator (Etsim) has been developed, which can be used t o simulate the electro-thermal effects under uniform temperature distribution.
Keywords:CMOS IC  Self-heat effect  Electro-thermal coupling effect
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