|
|||||
|
|
| 体硅CMOS射频集成电路中高Q值在片集成电感的实现 | |
| 引用本文： | 张志勇,海潮和.体硅CMOS射频集成电路中高Q值在片集成电感的实现[J].微电子学,2003,33(1):15-18. |
| 作者姓名： | 张志勇 海潮和 |
| 作者单位： | 中国科学院,微电子中心,北京,100029 |
| 摘 要： | 制作高Q值在片集成电感一直是体硅CMOS射频集成电路工艺中的一大难点，文章讨论和分析了体硅RF IC工艺中提高在片集成电感Q值的几种常用方法，这些方法都与CMOS工艺兼容。 |
| 关 键 词： | 在片集成电感 射频集成电路 品质因素 钢互连 低k介质 体硅CMOS |
| 文章编号： | 1004-3365(2003)01-0015-04 |
| 修稿时间： | 2002年3月11日 |
High Q-Factor On-chip Spiral Inductors for Bulk Silicon CMOS RF IC's |
|
| Abstract: | |
| Keywords: | On-chip inductors RF IC Quality factor Copper interconnections Low-k dielectric |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ | |