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| 单片低噪声放大器的设计及其在数字T/R组件中的应用 | |
| 引用本文： | 陈兴国,李佩,刘同怀,黄鲁.单片低噪声放大器的设计及其在数字T/R组件中的应用[J].微电子学,2005,35(3):326-328. |
| 作者姓名： | 陈兴国 李佩 刘同怀 黄鲁 |
| 作者单位： | 1. 中国科学技术大学,安徽,合肥,230026;中国电子科技集团公司,第三十八研究所,安徽,合肥,230031 2. 中国电子科技集团公司,第三十八研究所,安徽,合肥,230031 3. 中国科学技术大学,安徽,合肥,230026 |
| 摘 要： | 采用GaAs PHEMT工艺，研制了单片宽带低噪声放大器。着重探讨了单片低噪声放大器在相控阵雷达数字T／R组件中应用的特殊要求，电路的工作原理与设计方法，以及ADS软件的仿真和优化；给出了主要技术指标和测试结果。最后，介绍了单片低噪声放大器在数字T／R组件中的应用。 |
| 关 键 词： | 低噪声放大器 砷化镓 异质结高电子迁移率晶体管 T／R组件 |
| 文章编号： | 1004-3365(2005)03-0326-03 |
Design of a Monolithic Low Noise Amplifier and Its Application in Digital T/R Modules |
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| CHEN Xing-guo,LI Pei,LIU Tong-huai,HUANG Lu.Design of a Monolithic Low Noise Amplifier and Its Application in Digital T/R Modules[J].Microelectronics,2005,35(3):326-328. | |
| Authors: | CHEN Xing-guo LI Pei LIU Tong-huai HUANG Lu |
| Affiliation: | CHEN Xing-guo 1,2,LI Pei2,LIU Tong-huai1,HUANG Lu1 |
| Abstract: | A monolithic broadband low noise amplifier (LNA) based on GaAs PHEMT technology is developed.The operational principle of the LNA and its design method are described,as well as the simulation and optimization using ADS software.Special requirements of LNA for digital T/R modules in phased array radars are discussed in particular.Specification and test results of the circuit are given.Finally,application of the LNA to digital T/R modules is presented. |
| Keywords: | Low noise amplifier GaAs PHEMT T/R module |
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