|
|||||
|
|
| 离子注入在聚乙炔膜掺杂方面的应用 | |
| 引用本文： | Nobuyoshi Koshida,Yoshio Wachi,朱胜娥.离子注入在聚乙炔膜掺杂方面的应用[J].微电子学,1985(1). |
| 作者姓名： | Nobuyoshi Koshida Yoshio Wachi 朱胜娥 |
| 作者单位： | 东京农业技术大学技术学院电子工程系，东京农业技术大学技术学院电子工程系 |
| 摘 要： | 实验研究了高密度(CH)_X膜的离子注入n型掺杂。在用相当低的能量(12KeV)的钠离子进行了注入的(CH)_x膜上观察到明显的掺杂效应。(CH)_x膜的注入区和原始区(p型)之间显示了P-n结的电流-电压特性,在37天多的时间里呈现了整流特性。还观察到它在空气中的稳定性获得改善。离子注入掺杂技术对于延长(CH)_x器件的寿命达到实用化来说可能是十分有用的。 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |