| 一种基于MOS亚阈值特性的低功耗电压基准源 |
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| 引用本文： | 王会杰,王春华,何海珍,李湛. 一种基于MOS亚阈值特性的低功耗电压基准源[J]. 微电子学, 2011, 41(5) |
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| 作者姓名： | 王会杰 王春华 何海珍 李湛 |
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| 作者单位： | 湖南大学先进通信技术湖南省高校重点实验室,长沙,410082 |
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| 基金项目： | 湖南省科技计划项目(2010GK3052); 湖南省长沙市科技计划重点项目(K0902012-11) |
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| 摘 要： | 采用Chartered 0.18-μm CMOS工艺,设计了一种基于MOS亚阈值特性的全MOS结构电压基准源。它利用VT的正温度特性补偿VTH的负温度特性,以实现一个零温度系数的输出电压。为了实现较低的功耗,大部分MOS晶体管均工作在亚阈值区。仿真结果表明:电路可工作在0.7V到3.6V电压范围内;在0℃～120℃范围内,电压基准的温度系数可达2.97×10-6/℃;在1V电源电压下,电路的静态功耗和输出电压值分别为1.48μW和430.6mV;在没有滤波电容的情况下,在1kHz时,输出电压的电源电压抑制比为-61dB。
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| 关 键 词： | CMOS 电压基准源 亚阈值 弱反型 强反型 |
A Low-Power Voltage Reference Source Based on Subthreshold MOSFETs |
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| WANG Huijie,WANG Chunhua,HE Haizhen,LI Zhan. A Low-Power Voltage Reference Source Based on Subthreshold MOSFETs[J]. Microelectronics, 2011, 41(5) |
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| Authors: | WANG Huijie WANG Chunhua HE Haizhen LI Zhan |
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| Affiliation: | WANG Huijie,WANG Chunhua,HE Haizhen,LI Zhan(Key Laboratory of Advanced Communication Technology in Hunan Universities,Hunan University,Changsha 410082,P.R.China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | CMOS Voltage reference source Subthreshold Weak inversion Strong inversion |
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