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24~30 GHz高精度低附加相移数控衰减器
引用本文:陈隆章,袁波,谢卓恒,王强.24~30 GHz高精度低附加相移数控衰减器[J].微电子学,2019,49(3):356-359, 365.
作者姓名:陈隆章  袁波  谢卓恒  王强
作者单位:中国电子科技集团公司 第二十四研究所, 重庆 400060,中国电子科技集团公司 第二十四研究所, 重庆 400060;安徽大学 电子信息工程学院, 合肥 230039,重庆西南集成电路设计有限责任公司, 重庆 401332,重庆西南集成电路设计有限责任公司, 重庆 401332
基金项目:重庆市重点产业共性技术创新项目(CSTC2017ZDCY-ZDYFX0028)
摘    要:基于0.18 μm CMOS工艺,设计并实现了一种5位高精度低附加相移数控衰减器。该衰减器的衰减动态范围为15.5 dB,步进为0.5 dB。采用了T型衰减结构和SPDT型衰减结构的衰减网络。采用了悬浮栅和悬浮衬底,提高了衰减精度,减小了插入损耗。采用了相位补偿网络,有效降低了衰减器的附加相移。测试结果表明,在24~30 GHz频带范围内,衰减步进为0.5 dB,插入损耗小于8 dB,衰减误差均方根(RMS)小于0.45 dB,附加相移小于±5°。芯片尺寸为1.2 mm×0.3 mm。

关 键 词:衰减器    高精度    低附加相移
收稿时间:2018/8/24 0:00:00

A 24~30 GHz High Accuracy Low Phase Error Digital Attenuator
CHEN Longzhang,YUAN Bo,XIE Zhuoheng and WANG Qiang.A 24~30 GHz High Accuracy Low Phase Error Digital Attenuator[J].Microelectronics,2019,49(3):356-359, 365.
Authors:CHEN Longzhang  YUAN Bo  XIE Zhuoheng and WANG Qiang
Affiliation:The 24th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation, Chongqing 400060, P.R.China,The 24th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation, Chongqing 400060, P.R.China;School of Electronics and Information Engineering, Anhui University, Hefei 230039, P.R.China,Chongqing Southwest Integrated Circuit Design Co., Ltd., Chongqing 401332, P.R.China and Chongqing Southwest Integrated Circuit Design Co., Ltd., Chongqing 401332, P.R.China
Abstract:
Keywords:
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