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一种5.7 GHz CMOS 全集成低噪声放大器的设计
引用本文:邓桂萍,王春华.一种5.7 GHz CMOS 全集成低噪声放大器的设计[J].微电子学,2007,37(2):214-216,220.
作者姓名:邓桂萍  王春华
作者单位:湖南大学,计算机与通信学院,湖南,长沙,410082
摘    要:提出并设计了一种可以完全单片集成的5.7 GHz低噪声放大器(LNA)。该电路结构利用MOSFET自身的栅寄生电阻,通过简单的LC网络变换实现输入匹配;并采用跨阻结构,实现输出匹配。该电路采用TSMC 0.35μm CMOS工艺,用ADS模拟软件进行分析与优化。结果表明,设计的低噪声放大器,其增益为11.34 dB,噪声系数为2.2 dB,功耗12 mW,输入反射系数-33dB,线性度-4 dBm。

关 键 词:低噪声放大器  输入匹配  输出匹配  噪声系数
文章编号:1004-3365(2007)02-0214-03
修稿时间:2006-07-202006-10-12

Design of a 5.7 GHz Fully Integrated CMOS Low Noise Amplifier
DENG Gui-ping,WANG Chun-hua.Design of a 5.7 GHz Fully Integrated CMOS Low Noise Amplifier[J].Microelectronics,2007,37(2):214-216,220.
Authors:DENG Gui-ping  WANG Chun-hua
Affiliation:School of Computer and Communication, Hunan University, Changsha, Hunan 410082, P. R. China
Abstract:
Keywords:CMOS
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