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高阶Σ-Δ调制器的非理想特性分析与建模
引用本文:李罗生,洪缨,侯朝焕.高阶Σ-Δ调制器的非理想特性分析与建模[J].微电子学,2005,35(3):275-278.
作者姓名:李罗生  洪缨  侯朝焕
作者单位:中国科学院,声学研究所,数字系统集成实验室;中国科学院,研究生院,北京,100080
摘    要:文章对2-1-1级联结构的高阶Σ-Δ A/D调制器的非理想特性,包括时钟抖动、MOS开关噪声、比较器迟滞性、放大器的输入噪声、单位增益带宽和有限直流增益等,进行了分析,提出了基于Matlab的高层次建模方法.通过系统仿真确定关键的电路参数和性能指标,在较高层次指导A/D转换器的电路结构级和晶体管级设计.

关 键 词:Σ-Δ调制器  A/D转换器  非理想特性  高层次建模
文章编号:1004-3365(2005)03-0275-04
修稿时间:2004年7月19日

Nonideality Analysis and High-Level Modeling of Higher-Order Σ-Δ Modulator
LI Luo-sheng,HONG Ying,HOU Chao-huan.Nonideality Analysis and High-Level Modeling of Higher-Order Σ-Δ Modulator[J].Microelectronics,2005,35(3):275-278.
Authors:LI Luo-sheng  HONG Ying  HOU Chao-huan
Abstract:
Keywords:modulator  A/D converter  Nonideality  Higher-level modeling
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
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