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| InGaAs MOSFET的电容电压特性 | |
| 引用本文： | 陈军,黄大鸣.InGaAs MOSFET的电容电压特性[J].微电子学,2015,45(1):140-144. |
| 作者姓名： | 陈军 黄大鸣 |
| 作者单位： | 复旦大学 微电子学系 专用集成电路与系统国家重点实验室, 上海 201203,复旦大学 微电子学系 专用集成电路与系统国家重点实验室, 上海 201203 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(60936005,7) |
| 摘 要： | 通过自洽求解泊松和薛定谔方程,计算了GaAs,InAs和InGaAs MOSFET的电容电压(CV)特性,并与Si MOSFET的CV特性以及GaAs MOSFET的CV测量结果做了比较。研究结果表明,对于电子有效质量较轻的InGaAs半导体,量子效应非常明显,反型电容显著降低。研究结果还表明,随着栅介质有效厚度的减小和沟道掺杂浓度的增加,量子效应更加突出,反型电容进一步减小。 |
| 关 键 词： | InGaAs MOSFET 电容电压特性 量子效应 |
| 收稿时间： | 2013/12/14 0:00:00 |
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