| SiGe/Si异质结双极晶体管研究 |
| |
| 引用本文： | 李开成,刘道广,张静,易强.SiGe/Si异质结双极晶体管研究[J].微电子学,2000,30(3):144-146. |
| |
| 作者姓名： | 李开成 刘道广 张静 易强 |
| |
| 作者单位： | 1. 模拟集成电路国家重点实验室,重庆,400060
2. 信息产业部电子第二十四研究所,重庆,400060 |
| |
| 摘 要： | 介绍了一咱ＳｉＧｅ／Ｓｉ分子束外延异质结双极晶体管（ＨＢＴ）的研制。该器件采用３μｍ工艺制作，测量得其电流放大系数β为５０，截止效率ｆｒ为５．１ＧＨｚ，表明器件的直流特性和交流特性良好。器件的音片成品率在９０％以上。
|
| 关 键 词： | 分子束外延 异质结双极晶体管 锗－硅合金 |
Development of a SiGe/Si Heterojunction Bipolar Transistor |
| |
| LI Kai-cheng,LIU Dao-guang,ZHANG Jing,YI Qiang.Development of a SiGe/Si Heterojunction Bipolar Transistor[J].Microelectronics,2000,30(3):144-146. |
| |
| Authors: | LI Kai-cheng LIU Dao-guang ZHANG Jing YI Qiang |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | Molecular beam epitaxy Semiconductor device SiGe alloy Heterojunction bipolar transistor |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
|
