| 一种高性能超低功耗亚阈值基准电压源 |
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| 引用本文： | 朱智勇,段吉海,邓进丽,韦雪明,向指航.一种高性能超低功耗亚阈值基准电压源[J].微电子学,2016,46(6):740-745. |
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| 作者姓名： | 朱智勇 段吉海 邓进丽 韦雪明 向指航 |
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| 作者单位： | 桂林电子科技大学 广西精密导航技术与应用重点实验室, 广西 桂林, 541004,桂林电子科技大学 广西精密导航技术与应用重点实验室, 广西 桂林, 541004,桂林电子科技大学 广西精密导航技术与应用重点实验室, 广西 桂林, 541004,桂林电子科技大学 广西精密导航技术与应用重点实验室, 广西 桂林, 541004,桂林电子科技大学 广西精密导航技术与应用重点实验室, 广西 桂林, 541004 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(61161003,61264001,61166004)； 广西自然科学基金资助项目(2013GXNSFAA019333)； 广西桂林电子科技大学研究生科研创新项目(YJCXS201519) |
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| 摘 要： | 设计了一种超低功耗、无片上电阻、无双极型晶体管的基于CMOS亚阈值特性的基准电压源。采用Oguey电流源结构来减小静态电流,从而降低功耗,并加入工作于亚阈值区的运算放大器,在保证低功耗的前提下,显著提高了电源电压抑制比。采用1.8 V MOS管与3.3 V MOS管的阈值电压差进行温度补偿,使得输出电压具有超低温度系数。采用共源共栅电流镜以提高电源电压抑制比和电压调整率。电路基于SMIC 0.18 μm CMOS工艺进行设计和仿真。仿真结果表明,在－30 ℃~125 ℃温度范围内,温漂系数为9.3×10－6/℃；电源电压为0.8~3.3 V时,电压调整率为0.16%,电源电压抑制比为－58.2 dB@100 Hz,电路功耗仅为109 nW,芯片面积为0.01 mm2。
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| 关 键 词： | 亚阈值区 超低功耗 低温漂 电源电压抑制比 |
A High Performance and Ultra Low Power Dissipation Voltage ReferenceBased on Subthreshold |
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| ZHU Zhiyong,DUAN Jihai,DENG Jinli,WEI Xueming and XIANG Zhihang.A High Performance and Ultra Low Power Dissipation Voltage ReferenceBased on Subthreshold[J].Microelectronics,2016,46(6):740-745. |
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| Authors: | ZHU Zhiyong DUAN Jihai DENG Jinli WEI Xueming and XIANG Zhihang |
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| Affiliation: | Guangxi Key Lab. of Precision Navigation Technology and Application, Guilin Univ. of Elec. Technol., Guilin 541004, P. R. China,Guangxi Key Lab. of Precision Navigation Technology and Application, Guilin Univ. of Elec. Technol., Guilin 541004, P. R. China,Guangxi Key Lab. of Precision Navigation Technology and Application, Guilin Univ. of Elec. Technol., Guilin 541004, P. R. China,Guangxi Key Lab. of Precision Navigation Technology and Application, Guilin Univ. of Elec. Technol., Guilin 541004, P. R. China and Guangxi Key Lab. of Precision Navigation Technology and Application, Guilin Univ. of Elec. Technol., Guilin 541004, P. R. China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Subthreshold region Ultra low power dissipation Low temperature coefficient PSRR |
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