| 一种具有多电极结构的高压SOI LDMOS器件 |
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| 引用本文： | 黄勇,李阳,周锌,梁涛,乔明,张波.一种具有多电极结构的高压SOI LDMOS器件[J].微电子学,2017,47(2):247-249, 267. |
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| 作者姓名： | 黄勇 李阳 周锌 梁涛 乔明 张波 |
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| 作者单位： | 电子科技大学 微电子与固体电子学院, 成都 610054;四川长虹电器股份有限公司, 四川 绵阳 621000,电子科技大学 微电子与固体电子学院, 成都 610054,电子科技大学 微电子与固体电子学院, 成都 610054,电子科技大学 微电子与固体电子学院, 成都 610054;四川长虹电器股份有限公司, 四川 绵阳 621000,电子科技大学 微电子与固体电子学院, 成都 610054,电子科技大学 微电子与固体电子学院, 成都 610054 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(61376080) |
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| 摘 要： | 针对传统高压功率器件的击穿电压与比导通电阻始终相互矛盾的问题,提出了一种具有多电极结构的高压SOI LDMOS器件。该结构在漂移区的上方引入多个电极,每个电极偏置在不同的电位,器件正常工作时的电子电流聚集于漂移区表面,提供了一个低阻的导电通道,从而降低了比导通电阻。在漂移区引入多个额外电场峰值,提高了器件的击穿电压。与传统结构相比,新结构能够将击穿电压从325 V提高到403 V,并且比导通电阻降低43%。
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| 关 键 词： | 击穿电压 比导通电阻 多电极 |
| 收稿时间： | 2015/12/29 0:00:00 |
A SOI LDMOS Device with Multi-Electrode Structure |
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| HUANG Yong,LI Yang,ZHOU Xin,LIANG Tao,QIAO Ming and ZHANG Bo.A SOI LDMOS Device with Multi-Electrode Structure[J].Microelectronics,2017,47(2):247-249, 267. |
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| Authors: | HUANG Yong LI Yang ZHOU Xin LIANG Tao QIAO Ming and ZHANG Bo |
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| Affiliation: | School of Micro-Elec.and Sol Sta Elec., Univ.of Elec.Sci.and Technol.of China, Chengdu 610054, P.R.China;Changhong Electric Co., Ltd., Mianyang, Sichuan 621000, P.R.China,School of Micro-Elec.and Sol Sta Elec., Univ.of Elec.Sci.and Technol.of China, Chengdu 610054, P.R.China,School of Micro-Elec.and Sol Sta Elec., Univ.of Elec.Sci.and Technol.of China, Chengdu 610054, P.R.China,School of Micro-Elec.and Sol Sta Elec., Univ.of Elec.Sci.and Technol.of China, Chengdu 610054, P.R.China;Changhong Electric Co., Ltd., Mianyang, Sichuan 621000, P.R.China,School of Micro-Elec.and Sol Sta Elec., Univ.of Elec.Sci.and Technol.of China, Chengdu 610054, P.R.China and School of Micro-Elec.and Sol Sta Elec., Univ.of Elec.Sci.and Technol.of China, Chengdu 610054, P.R.China |
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| Abstract: | |
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