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电流叠加型CMOS基准电压源
引用本文:夏晓娟,易扬波.电流叠加型CMOS基准电压源[J].微电子学,2006,36(2):245-248.
作者姓名:夏晓娟  易扬波
作者单位:东南大学,国家专用集成电路系统工程技术研究中心,江苏,南京,210096
摘    要:介绍了一种CMOS基准电压源,该电路由NMOS管阈值电压的温度系数及NMOS管迁移率温度系数形成温度补偿,产生低温度系数的基准电压。与传统的带隙基准比较而言,不需要三极管;另外,通过结构的改进,变成正负温度系数电流叠加型的基准电压源,可以按需要任意调节输出基准电压的值,而且可以同时提供多个基准电压。电流叠加型基准电压源电路已经在3μmCMOS工艺线上实现,基准电压源输出中心值在2.2 V左右,温度系数为80 ppm/℃。

关 键 词:CMOS  基准电压源  阈值电压  迁移率  正温度系数电流  负温度系数电流
文章编号:1004-3365(2006)02-0245-04
收稿时间:2005-08-16
修稿时间:2005-08-162005-10-18

A CMOS Voltage Reference with Current Superposition
XIA Xiao-juan,YI Yang-bo.A CMOS Voltage Reference with Current Superposition[J].Microelectronics,2006,36(2):245-248.
Authors:XIA Xiao-juan  YI Yang-bo
Affiliation:Nantional ASIC System Engineering Center, Southeast University, Nanjing , Jiangsu 210096, P. R. China
Abstract:
Keywords:CMOS  Voltage reference  Threshold voltage  Mobility  PTAT current  CTAT current  
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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