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| 14～14.5 GHz 20 W GaAs PHEMT内匹配微波功率管 | |
| 引用本文： | 赵博,唐世军,王帅.14～14.5 GHz 20 W GaAs PHEMT内匹配微波功率管[J].微电子学,2009,39(5). |
| 作者姓名： | 赵博 唐世军 王帅 |
| 作者单位： | 南京电子器件研究所,南京,210016 |
| 摘 要： | 介绍了一种Ku波段内匹配微波功率场效应晶体管.采用GaAs PHEMT 0.25μm T型栅工艺,研制出总栅宽为14.4 mm的功率PHEMT管芯.器件由四管芯合成,在14～14.5 GHz频率范围内,输出功率大于20 W,附加效率大于27%,功率增益大于6 dB,增益平坦度为±0.3 dB. |
| 关 键 词： | 砷化镓 赝配高电子迁移率晶体管 微波功率场效率晶体管 |
14-14.5 GHz 20 W GaAs PHEMT Internally Matched Microwave Power FET |
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| Abstract: | |
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