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UHF RFID阅读器中的堆叠式CMOS LNA设计
引用本文:张润曦,石春琦,吴岳婷,赖宗声,曹丰文. UHF RFID阅读器中的堆叠式CMOS LNA设计[J]. 微电子学, 2007, 37(2): 246-249,254
作者姓名:张润曦  石春琦  吴岳婷  赖宗声  曹丰文
作者单位:1. 华东师范大学,微电子电路与系统研究所,上海,200062
2. 苏州职业大学,电子系,江苏,苏州,215000
摘    要:提出了一种基于0.25μm标准CMOS工艺,可用于UHF RFID(超高频射频识别)阅读器前端的低噪声放大器。根据低噪声放大器的匹配、噪声和增益分析,结合射频识别系统的理论计算,提出堆叠器件的电路结构达到电流复用,以降低功耗并保证增益。测试结果表明,在2.5 V供电时,放大器可以提供约26.3 dB的前向增益,噪声系数约为1.9 dB,放大电路从电源电压上抽取5.8 mA左右的工作电流,反向隔离度达到-40 dB,放大器的IIP3约为-15 dBm。

关 键 词:超高频射频识别  阅读器  堆叠式  CMOS低噪声放大器
文章编号:1004-3365(2007)02-0246-04
修稿时间:2006-08-162006-10-26

A Stack-Style CMOS LNA for UHF RFID Reader
ZHANG Run-xi,SHI Chun-qi,WU Yue-ting,LAI Zong-sheng,CAO Feng-wen. A Stack-Style CMOS LNA for UHF RFID Reader[J]. Microelectronics, 2007, 37(2): 246-249,254
Authors:ZHANG Run-xi  SHI Chun-qi  WU Yue-ting  LAI Zong-sheng  CAO Feng-wen
Abstract:
Keywords:UHF RFID   RF reader   Stack-style   CMOS low noise-amplifier
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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