不同熔体配比的InP分析研究

原位磷注合成ＬＥＣ晶体生长法可分别合成得到富铟、近化学配比或富磷的ＩｎＰ熔体，并进行ＬＥＣ晶体生长，我们对不同配比程度的材料进行了ＦＴ－ＩＲ、ＰＬ、变温Ｈａｌｌ等测试工作，得到了一些相当有意义的结果，对研究非掺杂半绝缘ＩｎＰ提供了非常有意义的实验证据。