| 长波双色AlxGa1-xAs/GaAs量子阱红外探测器的研制 |
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| 引用本文： | 齐利芳,李献杰,赵永林,尹顺政,蔡道民,李宁,甄红楼,熊大元,陆卫.长波双色AlxGa1-xAs/GaAs量子阱红外探测器的研制[J].半导体情报,2009,46(7):396-399. |
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| 作者姓名： | 齐利芳 李献杰 赵永林 尹顺政 蔡道民 李宁 甄红楼 熊大元 陆卫 |
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| 作者单位： | [1]中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄050051 [2]中国科学院上海技术物理研究所,上海200083 |
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| 摘 要： | 介绍了长波双色AlxGa1-xAs/GaAs多量子阱红外探测器单元的设计、制作和测试。器件光敏面面积为300μm×300μm,光吸收峰值波长分别为10.8、11.6μm;采用垂直入射光耦合的工作模式,65K温度2V偏压下,两个多量子阱区的暗电流分别为4.23×10^-6、4.19×10^-6A;黑体探测率分别为1.5×10^9、6.7×10^9cm.Hz^1/2/W;响应率分别为0.063、0.282A/W。GaAs基量子阱红外探测器（QWIP）材料生长和加工工艺成熟、大面积均匀性好、成本低、不同波段之间的光学串音小,使得AlGaAs/GaAsQWIP在制作多色大面阵方面具有明显的优势。
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| 关 键 词： | 量子阱 红外探测器 双色 双周期光栅 长波 |
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