| GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器的γ辐照研究 |
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| 引用本文： | 李宁,李娜,胡新文,袁先漳,陆卫,沈学础,黄绮,周均铭.GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器的γ辐照研究[J].量子电子学报,2000,17(3):265-268. |
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| 作者姓名： | 李宁 李娜 胡新文 袁先漳 陆卫 沈学础 黄绮 周均铭 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院上海技术物理研究所, 红外物理国家重点实验室上海 200083
2. 中国科学院物理研究所北京 100080 |
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| 摘 要： | 本文报道了γ射线辐照对量子阱红外探测器性能的影响。γ射线的辐射剂量分别为１ｍｒａｄ、６ｍｒａｄ、１６ｍｒａｄ。测量了器件在不同γ辐照剂量下的光谱响应、暗电汉、黑体响应率。通过对实验结果的分析，暗电流和黑体响应率随γ辐照剂量增加而递减，表明探测器的性能随γ射线辐照剂量的增加而逐步衰减。
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| 关 键 词： | 多量子阱 红外探测器 γ射线辐照 砷化镓 |
| 收稿时间： | 1998/12/28 |
| 修稿时间： | 1998年12月28 |
High Energy Gamma Irradiation Effects on GaAs/AlGaAs Quantum Well Infrared Photodetectors |
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| Li Ning,Li Na,Hu Xinwen,Yan Xianzhang,Lu Wei,SHEN Xuechu,Huang Qi,ZHOU Junming.High Energy Gamma Irradiation Effects on GaAs/AlGaAs Quantum Well Infrared Photodetectors[J].Chinese Journal of Quantum Electronics,2000,17(3):265-268. |
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| Authors: | Li Ning Li Na Hu Xinwen Yan Xianzhang Lu Wei SHEN Xuechu Huang Qi ZHOU Junming |
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| Abstract: | This paper reports the effects of high energy gamma irradiation on the performance of QWIP. The dose ranged from 1 mrads to 16 mrads. The dark current and spectral response of these radiated devices were measured at different dose levels. The detcctor performance becomes worse with increasing dose. |
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| Keywords: | multiple quantum well infrared photodetector gamma irradiation |
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