| 退火温度和退火时间对不同衬底上Mg_(2)Si薄膜结构的影响北大核心CSCD |
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| 引用本文： | 廖杨芳,谢泉.退火温度和退火时间对不同衬底上Mg_(2)Si薄膜结构的影响北大核心CSCD[J].量子电子学报,2022(4):644-650. |
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| 作者姓名： | 廖杨芳 谢泉 |
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| 作者单位： | 1.贵州师范大学物理与电子科学学院550001;2.贵州大学大数据与信息工程学院550025; |
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| 基金项目： | 贵州省科技计划项目(黔科合基础[2019]1225号)；贵州师范大学资助博士科研项目(GZNUD[2018]15号)。 |
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| 摘 要： | 以Mg_(2)Si烧结靶为靶材,采用磁控溅射法在Si、石英和Al_(2)O_(3)衬底上先沉积一层Mg_(2)Si非晶薄膜,再进行退火处理,研究了衬底类型、退火温度及退火时间对Mg_(2)Si多晶薄膜结构的影响。结果表明:Si、石英、Al_(2)O_(3)三种衬底上Mg_(2)Si薄膜的最优退火温度和退火时间均为350◦C和1 h。Al_(2)O_(3)衬底上的Mg_(2)Si薄膜结晶质量最佳,Si衬底上的薄膜次之,石英衬底上的薄膜结晶质量最不理想,分析表明这种差异主要源于衬底与薄膜之间的热失配不同。
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| 关 键 词： | 材料 薄膜 Mg_(2)Si 退火温度 退火时间 衬底 |
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