| C掺杂GaAs外延层光学特性分析 |
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| 引用本文： | 邢艳辉,李建军,邓军,韩军,盖红星,沈光地.C掺杂GaAs外延层光学特性分析[J].量子电子学报,2006,23(2):222-224. |
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| 作者姓名： | 邢艳辉 李建军 邓军 韩军 盖红星 沈光地 |
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| 作者单位： | 北京工业大学,北京光电子技术实验室,北京,100022 |
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| 基金项目： | 国防科技预研基金，中国科学院资助项目，科技部科研项目 |
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| 摘 要： | 对利用EMCORE D125 MOCVD系统生长的以CCl4为掺杂源,分析不同C掺杂浓度的GaAs外延层光学特性.通过PL、DC XRD测试手段研究了掺C GaAs层,随C掺杂浓度增加,禁带宽度收缩,PL谱峰值半宽增大,晶格常数减小.
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| 关 键 词： | 光电子学 GaAs掺杂 光荧光谱 X射线衍射 |
| 文章编号： | 1007-5461（2006）02-0222-03 |
| 收稿时间： | 2004-11-01 |
| 修稿时间： | 2004-12-23 |
Carbon doped GaAs epitaxial layer grown by MOCVD |
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| XING Yan-hui,LI Jian-jun,DENG Jun,HAN Jun,GAI Hong-xing,SHENG Guang-di.Carbon doped GaAs epitaxial layer grown by MOCVD[J].Chinese Journal of Quantum Electronics,2006,23(2):222-224. |
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| Authors: | XING Yan-hui LI Jian-jun DENG Jun HAN Jun GAI Hong-xing SHENG Guang-di |
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| Abstract: | The GaAs epitaxial layers of various dopant concentration are grown with CCl4 as the doping source by the EMCORE D125 MOCVD system. The C-doped GaAs optical properties are studied by PL, DC XRD. With C dopant concentration increase, band gap shrink, FWHM of PL increase, and lattice constant decrease. |
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| Keywords: | optelectronics GaAs doping PL spectra DC XRD |
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