| 超晶格界面的电子反向及引起的光电流特性 |
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| 引用本文： | 程兴奎,马洪磊,周均铭,黄绮,王文新.超晶格界面的电子反向及引起的光电流特性[J].量子电子学报,2001,18(5):462-465. |
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| 作者姓名： | 程兴奎 马洪磊 周均铭 黄绮 王文新 |
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| 作者单位： | 1. 山东大学光电材料与器件研究所
2. 中国科学院物理研究所 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目（No．69976016），山东省自然科学基金资助课题（No．Y98G11107）． |
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| 摘 要： | 测量了GaAs/AlGaAs超晶格在T＝77K时的光电流谱，发现在波数～↑υ=1589cm^-1存在一个强电流峰，理论分析认为，该电流峰与超晶格界面的电子反射有关，据此算出的电流峰位置与实验观测结果一致。
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| 关 键 词： | 超晶格 电子反射 光电流特性 |
| 文章编号： | 1007-5461(2001)05-0462-04 |
| 收稿时间： | 2001/3/19 |
| 修稿时间： | 2001年3月19日 |
Electron Reflection at Interface in Superlattice and Induced Photocurrent Characteristics |
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| Cheng Xingkui, Ma Honglei.Electron Reflection at Interface in Superlattice and Induced Photocurrent Characteristics[J].Chinese Journal of Quantum Electronics,2001,18(5):462-465. |
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| Authors: | Cheng Xingkui Ma Honglei |
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| Abstract: | Photocurrent spectrum for GaAs/AlGaAs superlattice at T = 77 K was measured. A strong photocurrent peak at ■ = 1598 cm-1 in the photocurrent spectrum was observed. It;was believed that the strong photocurrent peak is relevant to electron reflection at interface in superlattice. On the basis of the point of view, calculated position of peak of photocurrent is in very good agreement with experiment result. |
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| Keywords: | superlattice interface electron reflection |
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