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太赫兹量子级联激光器注入区结构研究
引用本文:王健,牛晨亮,王建峰,师巨亮,韩颖,夏英杰,孙保瑞.太赫兹量子级联激光器注入区结构研究[J].微纳电子技术,2015(2):80-84,97.
作者姓名:王健  牛晨亮  王建峰  师巨亮  韩颖  夏英杰  孙保瑞
作者单位:中国电子科技集团公司第十三研究所
摘    要:主要研究了THz量子级联激光器注入区结构的隧穿特性。通过量子力学方程设计出透射率最大的注入区结构。模拟结果表明,周期间势垒宽度为4.7 nm时,注入区的透射率最大。对于含有此注入区的QCL结构,模拟了在不同偏压下,电子波函数的空间分布和能级位置,进而模拟出该模型的隧穿点。计算结果表明,当每个周期两端的外加偏压为45 mV时达到THz工作点,同时满足周期间的电子隧穿条件。之后通过器件工艺,把外延片制作成实验样品。电流电压(I-V)测试曲线表明,在周期间偏压为50 mV时发生隧穿,这和理论计算的周期偏压为45 mV十分接近。

关 键 词:太赫兹量子级联激光器(THz  QCL)  隧穿  透射率  波函数  能级
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