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| 低阈值1.5微米波长InGaAsP/InP隐埋双异质结结构激光器 | |
| 引用本文： | 刘旭东.低阈值1.5微米波长InGaAsP/InP隐埋双异质结结构激光器[J].微纳电子技术,1980(5). |
| 作者姓名： | 刘旭东 |
| 摘 要： | <正> 最近日本 NTT 武藏野通研所制出目前最低阈值的1.5微米波长 InGaAsP/InP 隐埋双异质结结构激光器。首先使用低温液相外延防回熔技术在 InP(100)衬底上生长掺锡的4.5微米厚的 InP 层,继之生长0.2微米厚的未掺杂的 InGaAsP 有源层(生长温度为602℃),再生长掺锌的3微米厚的 InP 层,最后生长掺锌的1微米厚的 InGaAsP 帽层(禁带宽度 E_g=0.95电子伏);淀积 SiO_2,沿<110>方向用射频溅射光刻技术刻出二氧化硅条,台面刻蚀直到 n 型 InP 层;二次液相外延掺锌 p 型 InP 层(2.5微米厚)和 n 型 InP |
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