| 多晶硅太阳电池的氮化硅钝化 |
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| 引用本文： | 杨宏,王鹤,陈光德,于化丛,奚建平.多晶硅太阳电池的氮化硅钝化[J].微纳电子技术,2001,38(6):39-41. |
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| 作者姓名： | 杨宏 王鹤 陈光德 于化丛 奚建平 |
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| 作者单位： | 1. 西安交通大学太阳能研究所,陕西,西安,710049
2. 上海交通大学纳米研究院,上海,20030 |
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| 摘 要： | 全面介绍了等离子增强化学汽相沉积 ( PECVD)纳米氮化硅 ( Si Nx∶ H)光电薄膜的技术发展及现状 ,分析了 PECVD法沉积的 Si Nx∶ H薄膜对多晶硅太阳电池的体钝化和表面钝化机理
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| 关 键 词： | 等离子增强化学汽相沉积 太阳电池 氮化硅 |
| 文章编号： | 1001-5507(2001)06-0039-03 |
| 修稿时间： | 2001年7月16日 |
SiNx:H passivation of polycrystalline silicon solar cell |
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| YANG Hong,WANG He,CHEN Guang de.SiNx:H passivation of polycrystalline silicon solar cell[J].Micronanoelectronic Technology,2001,38(6):39-41. |
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| Authors: | YANG Hong WANG He CHEN Guang de |
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| Abstract: | This paper generally reports the present status and development of nanometer silicon nitride photoelectric thin film fabricated by plasma enhanced chemical vapour deposition(PECVD),and analyses the mechanism of surface and bulk passivating antireflection coating for polycrystalline silicon solar cell. |
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| Keywords: | plasma enhanced chemical vapour deposition solar cell silicon nitride |
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