ZnS纳米薄膜的负微分电阻和记忆特性 |
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引用本文: | 秦书超,董瑞新,杜倩倩,王媛.ZnS纳米薄膜的负微分电阻和记忆特性[J].微纳电子技术,2014(7). |
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作者姓名: | 秦书超 董瑞新 杜倩倩 王媛 |
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作者单位: | 聊城大学山东省光通信科学与技术重点实验室;聊城大学物理科学与信息工程学院; |
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基金项目: | 国家自然科学基金资助项目(11375081);山东省自然科学基金资助项目(ZR2012FM026,ZR2012FL20) |
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摘 要: | 通过激光分子束外延(LMBE)和热蒸发技术制备了基于ZnS纳米薄膜的Al/ZnS/ITO/玻璃器件,通过原子力显微镜(AFM)对ZnS表面薄膜形貌进行表征,采用Keithley 2400测量其电学特性,分别研究了扫描电压、ZnS薄膜厚度及不同温度的退火处理对器件电学特性的影响。实验结果表明:在不同的扫描电压作用下,器件均表现出稳定的负微分电阻特性,且其阻值随扫描电压的变化呈现出高低电阻两种状态,器件具有明显的记忆特性。适当减小ZnS薄膜的厚度或对器件进行400℃退火处理,均可有效减小低阻态的阻值,提高器件的峰-谷电流比率,进而优化器件的记忆特性。最后,基于能谷散射理论,对器件的负微分电阻特性进行了合理解释,理论和实验结果吻合较好。
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关 键 词: | ZnS纳米薄膜 负微分电阻 记忆特性 退火温度 能谷散射 |
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