新型碱性阻挡层抛光液的研究(英文) |
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引用本文: | 高娇娇,刘玉岭,王辰伟,崔晋.新型碱性阻挡层抛光液的研究(英文)[J].微纳电子技术,2014(9). |
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作者姓名: | 高娇娇 刘玉岭 王辰伟 崔晋 |
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作者单位: | 河北工业大学微电子研究所;河北大学静电研究所; |
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基金项目: | Special Project Items No.2 in National Long-Term Technology Development Plan,China(2009ZX02308) |
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摘 要: | 为了达到Ta的高去除速率,通过实验改变碱性阻挡层抛光液中各组分的体积分数,研究各组分变化对阻挡层材料Cu和Ta抛光速率的影响。碱性阻挡层抛光液中,首先确定磨料及去离子水的比例,然后再改变盐酸胍和螯合剂等组分体积分数,得到Cu和Ta抛光速率的变化规律,便于选取此条件下阻挡层抛光液最佳配比。通过各种测试手段表征抛光液对12英寸(1英寸=2.54 cm)布线片碟形坑修正能力及铜布线表面粗糙度的影响。结果表明,Ta和Cu材料的抛光速率随各组分变化规律明显,当磨料体积分数为30%、盐酸胍体积分数为3%以及螯合剂体积分数为1%时,可以达到Ta和Cu的最大抛光速率差。优化后的新型阻挡层抛光液1 min内可以实现碟形坑的有效修正及粗糙度的明显降低。
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关 键 词: | 碱性阻挡层抛光液 去除速率 磨料 盐酸胍(GH) 螯合剂 |
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