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InP-HEMT中复合沟道的设计与生长
引用本文:邱凯,张晓娟,陈建炉.InP-HEMT中复合沟道的设计与生长[J].微纳电子技术,2003,40(3):8-10,28.
作者姓名:邱凯  张晓娟  陈建炉
作者单位:南京电子器件研究所,江苏,南京,210016
摘    要:设计并生长了带有复合沟道的InP基HEMT材料,该材料具有较高的二维电子气浓度和迁移率。在使用In_xGa_(1-x)As/In_(0.53)Ga_(0.47)As复合沟道时,当In组分等于0.7时得到较好的沟道输运性能;在使用InAs复合沟道时,得到了二维电子气浓度为2.3×10~(12)/cm~2、室温迁移率高达13600 cm~2/V·s的性能优良的HEMT材料。

关 键 词:高电子迁移率晶体管  复合沟道  磷化铟基
文章编号:1671-4776(2003)03-0008-03

Design and growth of composite channel of InP HEMTs
QIU Kai,ZHANG Xiao-Juan,CHENG Jian-lu.Design and growth of composite channel of InP HEMTs[J].Micronanoelectronic Technology,2003,40(3):8-10,28.
Authors:QIU Kai  ZHANG Xiao-Juan  CHENG Jian-lu
Abstract:We have designed and grown InP-based HEMT with composite channel, the materials achieve higher 2DEG density and mobility. With the use of InxGa1-xAs/In0.53Ga0.47As composite channel, the better channel conductivity is achieved at x =0.7. With the use of InAs composite channel, the corresponding electron mobility is as high as 13600cm2/V·s with 2DEG density of 2.3×10~12/cm2.
Keywords:HEMT  composite channel  InP-based
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