| 高线密度X射线双光栅的研制 |
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| 引用本文： | 何宽,易涛,刘慎业,牛洁斌,陈宝钦,朱效立.高线密度X射线双光栅的研制[J].微纳电子技术,2014(6):381-385. |
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| 作者姓名： | 何宽 易涛 刘慎业 牛洁斌 陈宝钦 朱效立 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成实验室;中国工程物理研究院激光聚变研究中心; |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2012AA040405);国家自然科学基金创新群体资助项目(61221004) |
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| 摘 要： | 研究了采用高分辨率的100 kV电子束光刻和光学光刻系统相结合制作高线密度X射线双光栅的工艺技术,并且分析了电子束邻近效应校正技术在高线密度光栅制备中的应用。首先,利用电子束曝光和纳米电镀技术在同一衬底上制备两种不同线密度光栅图形;然后,利用光学光刻在2 000 lp/mm光栅上制备了自支撑加强筋结构。通过此技术制备的X射线双光栅成功集成了高线密度5 000 lp/mm透射光栅和2 000 lp/mm自支撑透射光栅,其栅线宽度分别为100和250 nm,金吸收体厚度达到400 nm。
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| 关 键 词： | X射线双光栅 自支撑透射光栅 电子束光刻 纳米电镀 电子束邻近效应校正(EPC) |
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