TMAH+Triton中Si湿法腐蚀机理研究现状 |
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引用本文: | 姚明秋,苏伟,唐彬,王芳.TMAH+Triton中Si湿法腐蚀机理研究现状[J].微纳电子技术,2014(6):386-393. |
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作者姓名: | 姚明秋 苏伟 唐彬 王芳 |
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作者单位: | 中国工程物理研究院电子工程研究所;南京理工大学;燕山大学; |
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基金项目: | 国家自然科学基金资助项目(51305412);中国工程物理研究院超精密加工技术重点实验室课题资助项目(2012CJMZZ00003) |
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摘 要: | 在微机电系统(MEMS)领域硅各向异性湿法腐蚀是制作许多元器件的一项重要技术,加入非离子型表面活性剂的腐蚀液可以在硅基片上制作出各种形状,但是对于真正的腐蚀机理还有待进一步研究。介绍了硅湿法腐蚀机理的研究现状,通过不同腐蚀条件下得出的不同腐蚀结果分析其腐蚀机理。介绍了当非离子型表面活性剂加入碱性溶液时固体表面的活性剂吸附层结构,重点介绍了表面活性剂Triton X-100加入各向异性碱性腐蚀剂四甲基氢氧化铵(TMAH)后对活性剂吸附状态和硅腐蚀速率产生影响的根本原因。不同晶向硅表面的H基和OH基数量会影响其表面活性剂的吸附能力,硅在纯TMAH腐蚀液和加入活性剂Triton后的TMAH腐蚀液中的腐蚀速率存在一定差异,高质量分数的TMAH下加入不同体积分数的Triton时,不同晶面在活性剂吸附和腐蚀速率上也存在不同,给出了出现这些现象的机理分析。研究硅腐蚀机理可以为器件设计提供有效的理论支持,有助于制作更多新的MEMS结构。
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关 键 词: | 各向异性湿法腐蚀 四甲基氢氧化铵(TMAH) Triton X- 表面活性剂吸附 腐蚀速率 |
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