| MEMS兼容丝网印刷PZT压电厚膜研究 |
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| 引用本文： | 王蔚,刘晓为,莫冰,王娟.MEMS兼容丝网印刷PZT压电厚膜研究[J].微纳电子技术,2003,40(7):432-434. |
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| 作者姓名： | 王蔚 刘晓为 莫冰 王娟 |
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| 作者单位： | 哈尔滨工业大学MEMS中心,黑龙江,哈尔滨,150001 |
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| 基金项目： | 哈尔滨工业大学跨学科交叉性研究基金(HIT.MD2001.01)资助项目 |
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| 摘 要： | 对丝网印刷PZT压电厚膜制备工艺浆料配置、印刷技术、退火条件、上下电极的选择及极化方法等进行了研究，并采用扫描电子显微镜(SEM)及与之配套的能谱分析仪对制备的PZT样品的微观结构、成分进行了测试分析。结果表明，PZT压电厚膜的膜厚可达100μm，印制图形分辨率在500μm以上，在800℃经1h退火就可获得良好的微晶结构，且具有压电特性。
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| 关 键 词： | MEMS 丝网印刷 PZT 压电厚膜 制备工艺 锆钛酸铅 铁电材料 |
| 文章编号： | 1671-4776(2003)07/08-0432-03 |
| 修稿时间： | 2003年5月15日 |
Investigation of PZT piezoelectric thick-film made by screen printing compatible with MEMS |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | MEMS PZT |
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